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RMLV0816BGSB-4S2集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RMLV0816BGSB-4S2
廠(chǎng)商型號(hào)

RMLV0816BGSB-4S2

參數(shù)屬性

RMLV0816BGSB-4S2 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit)

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

330.16 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-2-27 14:42:00

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RMLV0816BGSB-4S2規(guī)格書(shū)詳情

Description

The RMLV0816BGSB is a family of 8-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 16-bit, fabricated by Renesas’s

high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0816BGSB has realized higher density, higher

performance and low power consumption. The RMLV0816BGSB offers low power standby power dissipation;

therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 44pin TSOP (II).

Features

? Single 3V supply: 2.4V to 3.6V

? Access time:

── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)

── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)

? Current consumption:

── Standby: 0.45μA (typ.)

? Equal access and cycle times

? Common data input and output

── Three state output

? Directly TTL compatible

── All inputs and outputs

? Battery backup operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RMLV0816BGSB-4S2#HA0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    45ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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