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TIM0910-30L

MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ?BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ?HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat9.5GHzto10.5GHz ?HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.5GHzto10.5GHz ?LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=38dBm(SingleCarrierLevel) ?HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多S0910-30供應商 更新時間2025-2-27 16:06:00