S2800M中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
S2800M |
| 功能描述 | Silicon Controlled Rectifiers |
| 文件大小 |
90.7 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-27 14:36:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
S2800M三極管、S2800M晶體管、S2800M晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
50HZ－Thy
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
600V
- 最大電流允許值：
6.8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
TAG665-600,TIC126M,T7.5N600,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
600
- htest：
999900
- atest：
6.8
- wtest：
0
S2800M規(guī)格書(shū)詳情
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors
... designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supplies; or wherever half-wave silicon gate-controlled, solid-state devices are needed.
? Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability
? Small, Rugged, Thermowatt Construction for LowThermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability
? Blocking Voltage to 800Volts
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
S2800M
- 制造商：
GESS
- 制造商全稱(chēng)：
GESS
- 功能描述：
10-A Silicon Controlled Rectifiers
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MACONM |
24+ |
PBGA361 |
8120 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
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23+ |
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24+ |
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8866 |
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MACONM |
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6 |
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詢(xún)價(jià) |
