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SDS065J020D3

3 rd Generation 650 V/2 0 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多SDS065J020D3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 11:00:00

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