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SI3590DV中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI3590DV
廠商型號(hào)

SI3590DV

功能描述

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

282.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-17 20:08:00

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SI3590DV規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFET

? Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high

efficiency

? Optimized for high side / low side

? Minimized conduction losses

? Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Portable devices including PDAs, cellular phones, and

pagers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI3590DV

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    N- and P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
23+
TSOP6
177000
SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝。它集成了兩個(gè)N溝道MOSFET和一個(gè)P溝道MOSFET,具有雙向電流傳輸能力,適用于多種功率管理和開關(guān)電路設(shè)計(jì)。 ### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - **電壓額定值 (VDS):**_±20V - **N溝道電流額定值 (ID
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