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SI5855DC-T1-E3

P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI5855DC-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
23+
1206-8
12000
全新原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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更多SI5855DC-T1-E3供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 9:18:00

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