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SI9910集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

SI9910
廠商型號

SI9910

參數(shù)屬性

SI9910 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

Adaptive Power MOSFET Driver1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

51.51 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:15:00

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SI9910規(guī)格書詳情

SI9910屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SI9910柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

DESCRIPTION

The Si9910 Power MOSFET driver provides optimized gate drive signals, protection circuitry and logic level interface. Very low quiescent current is provided by a CMOS buffer and a high-current emitter-follower output stage. This efficiency allows operation in high-voltage bridge applications with “bootstrap” or “charge-pump” floating power supply techniques.

FEATURES

● dv/dt and di/dt Control

● Undervoltage Protection

● Short-Circuit Protection

● trr Shoot-Through Current Limiting

● Low Quiescent Current

● CMOS Compatible Inputs

● Compatible with Wide Range of MOSFET Devices

● Bootstrap and Charge Pump Compatible (High-Side Drive)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SI9910DY-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    高端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 16.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    50ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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