SI9910集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
SI9910 |
參數(shù)屬性 | SI9910 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
功能描述 | Adaptive Power MOSFET Driver1 |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
51.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-23 23:15:00 |
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SI9910規(guī)格書詳情
SI9910屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SI9910柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
DESCRIPTION
The Si9910 Power MOSFET driver provides optimized gate drive signals, protection circuitry and logic level interface. Very low quiescent current is provided by a CMOS buffer and a high-current emitter-follower output stage. This efficiency allows operation in high-voltage bridge applications with “bootstrap” or “charge-pump” floating power supply techniques.
FEATURES
● dv/dt and di/dt Control
● Undervoltage Protection
● Short-Circuit Protection
● trr Shoot-Through Current Limiting
● Low Quiescent Current
● CMOS Compatible Inputs
● Compatible with Wide Range of MOSFET Devices
● Bootstrap and Charge Pump Compatible (High-Side Drive)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
SI9910DY-E3
- 制造商:
Vishay Siliconix
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 驅(qū)動配置:
高端
- 通道類型:
單路
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10.8V ~ 16.5V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
1A,1A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
50ns,35ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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