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SIA445EDJ

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?ThermallyenhancedPowerPAKSC-70package? -Smallfootprintarea? -Lowon-resistance ?100Rgtested ?BuiltinESDprotectionwithZenerdiode ?TypicalESDperformance:2000V ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIA445EDJ

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIA445EDJ_V02

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?ThermallyenhancedPowerPAKSC-70package? -Smallfootprintarea? -Lowon-resistance ?100Rgtested ?BuiltinESDprotectionwithZenerdiode ?TypicalESDperformance:2000V ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIA445EDJ_V01

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIA445EDJT

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIA445EDJ-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SS445P

UnipolarHall-EffectDigitalPositionSensorsWithBuilt-inPull-upResistor

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

SS445P

MagneticSensorsLineGuide

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

STF445

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SW445

GeneralBattery

SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd.

三威電源深圳市三威電源科技有限公司

UG-445

EVAL-ADMP411Z-FLEX:Bottom-PortedAnalogOutputMEMSMicrophoneEvaluationBoard

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

UG-445

AnalogOutputMEMSMicrophoneFlexEvaluationBoardUserGuide

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化（中國）投資有限公司

WSA445

HIGHEFFICIENCY,COMPACTDESIGNSWITCHMODETECHNOLOGY

ASTRODYNEAstrodyne Corporation

天成達天成達(昆山)電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIA445EDJ

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
20+
DFN2x2
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
VISHAY/威世
23+
DFN2x2
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
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VISHAY/威世
24+
DFN2020-6
98000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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VISHAY/威世
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90000
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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Vishay
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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更多SIA445EDJ供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 14:00:00

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