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STGD10HF60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGD10HF60KD
廠商型號(hào)

STGD10HF60KD
參數(shù)屬性

STGD10HF60KD 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 10A DPAK
功能描述

Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
IGBT 600V 10A DPAK
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

760.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

STGD10HF60KD規(guī)格書(shū)詳情

STGD10HF60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGD10HF60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGD10HF60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.75V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    45μJ（開(kāi)），105μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    9.5ns/87ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，5A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 10A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
ST(意法)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO252
6000
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤
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ST
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柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
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ST
1926+
DPAK
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ST
22+
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518000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價(jià)
ST
24+
TO-252-3
48106
專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
 詢價(jià)

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