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STGP10NB37LZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP10NB37LZ
廠商型號(hào)

STGP10NB37LZ
參數(shù)屬性

STGP10NB37LZ 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W TO220
功能描述

10 A - 410 V internally clamped IGBT
IGBT 440V 20A 125W TO220
文件大小

751.46 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2024-12-25 16:50:00

STGP10NB37LZ規(guī)格書詳情

STGP10NB37LZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP10NB37LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH?

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior. The built in collector-gate Zener exhibits

a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection.

Features

■ Low threshold voltage

■ Low on-voltage drop

■ Low gate charge

■ High current capability

■ High voltage clamping feature

Applications

■ Automotive ignition

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP10NB37LZ

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 4.5V，10A

  • 開關(guān)能量：

    2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    1.3μs/8μs

  • 測(cè)試條件：

    328V，10A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 440V 20A 125W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
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