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STP55NE06L中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
STP55NE06L |
功能描述 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
文件大小 |
57.07 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-9 13:36:00 |
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STP55NE06L規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.018 ?
■ EXCEPTIONAL dV/dt CAPABILTY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 °C
■ HIGH dV/dt CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION
產(chǎn)品屬性
- 型號:
STP55NE06L
- 功能描述:
MOSFET TO-220 N-CH 60V 55A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
ST全系列 |
22+23+ |
TO-220 |
26805 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
2447 |
TO-220F |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-220F |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
23480 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
N/A |
3250 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
TO-220鐵頭 |
12119 |
詢價 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實單支持 |
詢價 | ||
ST |
TO-220 |
68500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 |