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TK18E10K3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TK18E10K3
廠商型號(hào)

TK18E10K3
參數(shù)屬性

TK18E10K3 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

1.58274 Mbytes
頁面數(shù)量

73 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 9:13:00
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TK18E10K3規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TK18E10K3,S1X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    U-MOSIV

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    18A（Ta）

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    42 毫歐 @ 9A，10V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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TO220
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