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TK12E80W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK12E80W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.38Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.57mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TMG12E80F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-27 16:28:00

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