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VS-1N1199A

Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-1N1199A

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N1199

SiRectifier

Description:SiRectifier,10A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N1199

SILICONPOWERRECTIFIER

SILICONPOWERRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N1199A

SiliconStandardRecoveryDiode

[GENESIC] Features ?HighSurgeCapability ?NotESDSensitive ?Typesfrom50Vto600VVRRM

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

1N1199A

DO4STUDDEVICESSTANDARDRECTIFIER

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N1199A

MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N1199A

Silicon-Power-Rectifiers

Diotec

Diotec Semiconductor

1N1199A

SiRectifier

Description:SiRectifier,10A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N1199A

MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A

FEATURES ?Voltageratingsfrom50Vto1000V ?Highsurgecapability ?Lowthermalimpedance ?Hightemperaturerating ?CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N1199A

12AMPMEDIUMPOWERSILICONRECTIFIERDIODES

Description/Features ■Voltageratingfrom50to1,000volts ■Highsurgecapability ■Lowthermalimpedance ■Hightemperaturerating ■CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260

IRF

International Rectifier

1N1199A

Silicon-PowerRectifiers

Silicon-PowerRectifiers Nominalcurrent–Nennstrom12A Repetitivepeakreversevoltage50...1000V Weightapprox.–Gewichtca.5.5g Recommendedmountingtorque18±10lb.in. IndexR:Anodetostud/amGewinde(e.g.1N1199A/R)

Diotec

Diotec Semiconductor

1N1199A

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

1N1199A

SiliconStandardRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto600VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1199A

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1199A

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1199AR

DO4STUDDEVICESSTANDARDRECTIFIER

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N1199AR

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1199C

SILICONPOWERRECTIFIER

SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?LowForwardVoltage ?400ASurgeRating ?Glasstometalsealconstruction ?VRRMto1600V ?Excellentreliability

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1199RA

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VS-1N1199A

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AA，DO-4，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-203AA（DO-4）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VishayPCS
新
93
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
Vishay PCS
2022+
89
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
VISHAY
1809+
DO-203
1675
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Vishay General Semiconductor -
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DO-203AA(DO-4)
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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Vishay
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
更多VS-1N1199A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 16:06:00

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