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04023J1R5BBS電容器的薄膜電容器規(guī)格書PDF中文資料

04023J1R5BBS
廠商型號

04023J1R5BBS

參數(shù)屬性

04023J1R5BBS 包裝為卷帶(TR);類別為電容器的薄膜電容器;產(chǎn)品描述:ACCU-F/P

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

文件大小

342.39 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-14 17:19:00

04023J1R5BBS規(guī)格書詳情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a 2-stage high efficiency InGaP HBT driver amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 V supply.

Features

? Frequency: 2300-2700 MHz

? P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz

? Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz

? Third Order Output Intercept Point: 40 dBm @ 2500 MHz

? Active Bias Control (On-chip)

? Single 3 to 5 V Supply

? Single-ended Power Detector

? Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    04023J1R5BBSTR-500

  • 制造商:

    KYOCERA AVX

  • 類別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    ACCU-F/P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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