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BZW04P10	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ?Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ?Glasspassivatedjunction ?400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ?Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P10	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIALLEADEDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半導體MDE半導體公司	MDE
BZW04P10	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package ?400Wsurgecapabilityat1ms ?Excellentclampingcapability ?Lowzenerimpedance ?Lowincrementalsurgeresistance ?Excellentclampingcapability	MDEMDE semiconductor MDE半導體MDE半導體公司	MDE
BZW04P10	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
BZW04P10	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZW04P10	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorbTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BZW04P10	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ?Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ?Glasspassivatedjunction ?400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ?Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
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BZW04P10A	文件：1.02949 Mbytes Page：6 Pages	400WattsAxialLeadedTransientVoltageSuppressor VOLTAGERANGE:5.8-376VPOWER:400Watts Features ●ConstructedwithGlassPassivatedDie ●UniandBidirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10B	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半導體MDE半導體公司	MDE
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BZW04P10B	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package ?400Wsurgecapabilityat1ms ?Excellentclampingcapability ?Lowzenerimpedance ?Lowincrementalsurgeresistance ?Excellentclampingcapability	MDEMDE semiconductor MDE半導體MDE半導體公司	MDE
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BZW04P10B	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：195.74 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORVOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae VOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae FEATURES ■Plasticpackage ■GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ■400Wsurgecapabilityat10/1000μswavefromExcellentclampingcapability ■Lowzenerimpedance ■Fastresponsetime:typicallylesst	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO
SPD04P10P	文件：831.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS?Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD04P10PG	文件：479.95 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS?Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD04P10PG	文件：1.04866 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SPD04P10PG	文件：831.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS?Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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