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06035J1R8BBSTR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:0603(1608 公制) 類別:電容器 薄膜電容器 描述:CAP THIN FILM 1.8PF 50V 0603

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J1R8BBSTR-500

包裝:卷帶(TR) 類別:電容器 薄膜電容器 描述:ACCU-F/P

KyOCERA

KYOCERA AVX

06035J1R8BBS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

06035J1R8BBS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312BVisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

06035J1R8BS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3004NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli

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06035J1R8BS

GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule

Description ?24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features ?Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading ?ExcellentDistortionPerformance ?Built-inInputDiodeProtection ?GaAsFETTransistorTechnology ?Unconditi

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    06035J1R8BBSTR

  • 制造商:

    KYOCERA AVX

  • 類別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列:

    Accu-P?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    0603(1608 公制)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    RF,高 Q 值,低損耗

  • 大小 / 尺寸:

    0.063" 長 x 0.032" 寬(1.60mm x 0.81mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.029"(0.73mm)

  • 描述:

    CAP THIN FILM 1.8PF 50V 0603

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