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08051J1R0BBS中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

08051J1R0BBS
廠商型號

08051J1R0BBS

功能描述

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

1.13431 Mbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-2 23:00:00

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