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100B2R7BT500XT

RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

100B2R7BT500XT

Package：1111（2828 公制）；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 2.7PF 500V P90 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

100B2R7BT500XT

Package：1111（2828 公制）；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 2.7PF 500V P90 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

ATC100B2R7BT500XT

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

Features ?GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation ?DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems ?OptimizedforDohertyApplications ?InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B2R7BT500XT

RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產品屬性

  • 產品編號：

    100B2R7BT500XT

  • 制造商：

    American Technical Ceramics

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    Porcelain Superchip? ATC 100B

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 容差：

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定：

    500V

  • 溫度系數：

    P90

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 特性：

    高 Q 值，低損耗，Low ESL

  • 應用：

    射頻，微波，高頻，旁通，去耦

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    1111（2828 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.110" 長 x 0.110" 寬（2.79mm x 2.79mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.102"（2.59mm）

  • 描述：

    CAP CER 2.7PF 500V P90 1111

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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14+
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600
原廠原裝倉庫現(xiàn)貨,歡迎咨詢
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電容器
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48000
原廠代理 終端免費提供樣品
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608900
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
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更多100B2R7BT500XT供應商 更新時間2025-1-28 8:02:00

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