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100B2R7BT500XT

RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

100B2R7BT500XT

包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 封裝/外殼：1111（2828 公制） 類(lèi)別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 2.7PF 500V P90 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

100B2R7BT500XT

包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 封裝/外殼：1111（2828 公制） 類(lèi)別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 2.7PF 500V P90 1111

ATC

American Technical Ceramics Corp

ATC100B2R7BT500XT

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

Features ?GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation ?DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems ?OptimizedforDohertyApplications ?InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

ATC100B2R7BT500XT

RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    100B2R7BT500XT

  • 制造商：

    American Technical Ceramics

  • 類(lèi)別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    Porcelain Superchip? ATC 100B

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 容差：

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定：

    500V

  • 溫度系數(shù)：

    P90

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 特性：

    高 Q 值，低損耗，Low ESL

  • 應(yīng)用：

    射頻，微波，高頻，旁通，去耦

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    1111（2828 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.110" 長(zhǎng) x 0.110" 寬（2.79mm x 2.79mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.102"（2.59mm）

  • 描述：

    CAP CER 2.7PF 500V P90 1111

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原廠原裝倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨,歡迎咨詢(xún)
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電容器
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23+
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢(xún)價(jià)
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608900
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
 詢(xún)價(jià)
更多100B2R7BT500XT供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-27 10:30:00

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