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1014-12分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

1014-12
廠商型號

1014-12

參數(shù)屬性

1014-12 封裝/外殼為55LT;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

55LT

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-5 8:50:00

1014-12規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    1014-12

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    50V

  • 頻率 - 躍遷:

    1GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    6.8dB

  • 功率 - 最大值:

    39W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 200mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55LT

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55LT

  • 描述:

    RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

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