105PSB850K2J_電容器 薄膜電容器高頻,開關(guān);高脈沖,DV/DT;吸收電路-CDE

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原廠料號:105PSB850K2J品牌:Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

資料說明:CAP FILM 1UF 10% 850VDC RADIAL

105PSB850K2J是電容器 > 薄膜電容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生產(chǎn)封裝徑向的105PSB850K2J薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF,電壓為 2.5 V 至 100 V,封裝尺寸為 0201 至 1210,容差為 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型號:

    105psb850k2j

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    CDE詳情

  • 廠商全稱:

    Cornell Dubilier Electronics

  • 資料說明:

    CAP FILM 1UF 10% 850VDC RADIAL

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    105PSB850K2J

  • 制造商:

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 類別:

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列:

    PSB

  • 包裝:

    散裝

  • 容差:

    ±10%

  • 額定電壓 - AC:

    500V

  • 額定電壓 - DC:

    850V

  • 介電材料:

    聚丙烯(PP),金屬化

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 100°C

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    徑向

  • 大小 / 尺寸:

    1.673" 長 x 0.866" 寬(42.50mm x 22.00mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    1.181"(30.00mm)

  • 端接:

    PC 引腳

  • 引線間距:

    1.476"(37.50mm)

  • 應(yīng)用:

    高頻,開關(guān);高脈沖,DV/DT;吸收電路

  • 描述:

    CAP FILM 1UF 10% 850VDC RADIAL

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