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10N65FIP中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

10N65FIP
廠商型號

10N65FIP

功能描述

650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

2.62567 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-29 17:02:00

10N65FIP規(guī)格書詳情

Description

The AP10N65F/P is silicon N-channel Enhanced

VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology

which reduce the conduction loss, improve switching

performance and enhance the avalanche energy. The transistor

can be used in various power switching circuit for system

miniaturization and higher efficiency.

General Features

VDS = 650V ID =10A

RDS(ON) < 0.9Ω @ VGS=10V Type 0.75Ω

Application

Uninterruptible Power Supply(UPS)

Power Factor Correction (PFC)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
UTC
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SMD
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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