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11AA010T-I/MNY集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
11AA010T-I/MNY |
| 參數(shù)屬性 | 11AA010T-I/MNY 封裝/外殼為8-WFDFN 裸露焊盤；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8TDFN |
| 功能描述 | 1K-16K UNI/O? Serial EEPROM Family Data Sheet |
| 封裝外殼 | 8-WFDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
597.93 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
38 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microchip Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
Microchip【微芯科技】 |
| 中文名稱 | 微芯科技股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-5 10:18:00 |
11AA010T-I/MNY規(guī)格書詳情
11AA010T-I/MNY屬于集成電路（IC）的存儲器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的11AA010T-I/MNY存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
11AA010T-I/MNY
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
EEPROM
- 技術(shù)：
EEPROM
- 存儲容量：
1Kb（128 x 8）
- 存儲器接口：
單線
- 寫周期時間 - 字，頁：
5ms
- 電壓 - 供電：
1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-TDFN（2x3）
- 描述：
IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8TDFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip |
1940+ |
N/A |
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MICROCHIP/微芯 |
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Microchip Technology |
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microchip |
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TDFN |
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Microchip Technology |
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8-WFDFN 裸露焊盤 |
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