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11N50K-MT	文件：217.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
AP11N50I	文件：99.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
FB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
FB11N50A	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
FDP11N50	文件：331.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.725Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQP11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF11N50CF	文件：1.27172 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF11N50CF	文件：277.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB11N50	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
IRFB11N50A	文件：100.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.52ohm,Id=11A) Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
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IRFB11N50A	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB11N50A	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB11N50APBF	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB11N50APBF	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS11N50A	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.52?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS11N50A	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS11N50A	文件：118.81 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterr	IRF International Rectifier	IRF
IRFS11N50A	文件：351.68 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS11N50A	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導體科技有限公司	11N50L	UTC/友順	23+	TO-220F	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	11N50L	UTC/友順	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	11N50L	UTC/友順	TO-220F	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
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深圳市安富世紀電子有限公司	11N50L	UTC/友順	23+	TO-220	6800	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	11N50L	UTC	24+	TO-TO-220F	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	11N50L-TA3-T	UTC/友順	24+	TO220	100000	原裝現(xiàn)貨	詢價
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