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1214GN-120E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

1214GN-120E
廠商型號(hào)

1214GN-120E

參數(shù)屬性

1214GN-120E 封裝/外殼為55-QQ;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 120W,

功能描述

120W L-Band Radar GaN Power Transistor and Pallet Amplifier

封裝外殼

55-QQ

文件大小

488.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 22:58:00

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1214GN-120E規(guī)格書(shū)詳情

Key Features

The following are the key features of the 1214GN-120E/EL/EP E-Series Earless/Eared GaN transistor products:

? 1200–1400 MHz, 120 W pulsed output power, 300 μS 10 pulsing

? Common source, Class AB, 50 V bias voltage

? High efficiency: >60 typical across the frequency band

? Extremely compact size

? High power gain: >16.8 dB

? Excellent gain flatness

? Ideal for radar, L-Band avionics, communications, and industrial applications

? Utilizes all-gold metallization and eutectic die attach for highest reliability

? 50 Ω IN/OUT lumped element, very small footprint, plug-and-play pallets available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    1214GN-120E

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    E

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    17.16dB

  • 功率 - 輸出:

    130W

  • 封裝/外殼:

    55-QQ

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55-QQ

  • 描述:

    TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 120W,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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