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122N10N

OptiMOS?3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchron

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多122N10N供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 14:01:00

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