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12N10P	文件：532.37 Kbytes Page：7 Pages	12 Amps,100 Volts N-CHANNEL Power MOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
A12N10P	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團	PENTAIR
A12N10PP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
A12N10PP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團	PENTAIR
ADM12N10E	文件：1.13556 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛德微愛德微(深圳)電子有限公司	ADV
BRF12N10	文件：794.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
CED12N10	文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CED12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED12N10	文件：978.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?DT-TrenchPowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?100RgTested APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CED12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?DT-TrenchPowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?100RgTested APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU12N10	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU12N10	文件：1.01053 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CEU12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CMD12N10	文件：1.01051 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市星宇佳科技有限公司	12N10-VB	VBsemi(微碧)	20+	TO-252-2	2500		詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	12N10-VB		24+	N/A	56000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市德力誠信科技有限公司	12N10-VB	VBSEMI	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價
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更多12N10P供應商更新時間2024-12-27 9:30:00

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