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15GN03CA-TB-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

15GN03CA-TB-E
廠商型號(hào)

15GN03CA-TB-E

參數(shù)屬性

15GN03CA-TB-E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

功能描述

RF Transistor 10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single CP
RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

291.49 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-19 16:42:00

15GN03CA-TB-E規(guī)格書詳情

15GN03CA-TB-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的15GN03CA-TB-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

RF Transistor 10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single CP

Features

? High cutoff frequency : fT=1.5GHz typ

? High gain : ?S21e?2=13dB typ (f=0.4GHz)

Applications

? VHF, RF, MIXER, OSC, IF amplifier

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    15GN03CA-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.6dB @ 0.4GHz

  • 增益:

    13dB @ 0.4GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-CP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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