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185PSB152K2R_電容器 薄膜電容器高頻，開關(guān)；高脈沖，DV/DT；吸收電路-CDE

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原廠料號：185PSB152K2R品牌：Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

資料說明：CAP FILM 1.8UF 10% 1.5KVDC RAD

185PSB152K2R是電容器 > 薄膜電容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生產(chǎn)封裝徑向的185PSB152K2R薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

  • 芯片型號：

    185psb152k2r

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    CDE詳情

  • 廠商全稱：

    Cornell Dubilier Electronics

  • 資料說明：

    CAP FILM 1.8UF 10% 1.5KVDC RAD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    185PSB152K2R

  • 制造商：

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    PSB

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 額定電壓 - AC：

    650V

  • 額定電壓 - DC：

    1500V（1.5kV）

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP），金屬化

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 大小 / 尺寸：

    2.264" 長 x 1.378" 寬（57.50mm x 35.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    1.969"（50.00mm）

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    2.067"（52.50mm）

  • 應(yīng)用：

    高頻，開關(guān)；高脈沖，DV/DT；吸收電路

  • 描述：

    CAP FILM 1.8UF 10% 1.5KVDC RAD

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