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BFG193

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BFG193

LowNoiseFigure

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFG193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TRW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    193B

  • 制造商：

    Hammond Manufacturing

  • 類別：

    電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器

  • 系列：

    193

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±15%

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • DC 電阻 (DCR)：

    155 歐姆

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    非標(biāo)準(zhǔn)

  • 大小 / 尺寸：

    2.500" 長(zhǎng) x 2.750" 寬（63.50mm x 69.85mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    3.060"（77.72mm）

  • 描述：

    FIXED IND 12H 100MA 155 OHM CHAS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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更多193B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-5 10:18:00

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