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IS43TR16256AL-107MBLI

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS43TR16256AL-107MBLI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：96-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256AL-107MBLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：96-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256AL-107MBL

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43TR16256AL-107MBLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR3L

  • 存儲容量：

    4Gb（256M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 95°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    96-TWBGA（9x13）

  • 描述：

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS43TR16256AL-107MBLI供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 10:12:00

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