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1EDN7116U

200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features ?OptimizedfordrivingGaNSGHEMTsandSiMOSFETs ?Fullydiferentiallogicinputcircuitrytoavoidfalsetriggering inlow-sideorhigh-sideoperation ?Highcommon-modeinputvoltagerange(CMR)upto±200V forhighsideoperation ?Highimmunitytocommon-modevoltagetransi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

1EDN7116UXTSA1

200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features ?OptimizedfordrivingGaNSGHEMTsandSiMOSFETs ?Fullydiferentiallogicinputcircuitrytoavoidfalsetriggering inlow-sideorhigh-sideoperation ?Highcommon-modeinputvoltagerange(CMR)upto±200V forhighsideoperation ?Highimmunitytocommon-modevoltagetransi

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1EDN7116UXTSA1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

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1EDN7116G

200Vhigh-sideTDIgatedriverICforGaNSGHEMTsandMOSFETs

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更多1EDN7116U供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 12:09:00

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