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1EDN71X6U

200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features ?OptimizedfordrivingGaNSGHEMTsandSiMOSFETs ?Fullydiferentiallogicinputcircuitrytoavoidfalsetriggering inlow-sideorhigh-sideoperation ?Highcommon-modeinputvoltagerange(CMR)upto±200V forhighsideoperation ?Highimmunitytocommon-modevoltagetransi

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

1EDN71X6G

200Vhigh-sideTDIgatedriverICforGaNSGHEMTsandMOSFETs

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多1EDN71X6U供應商 更新時間2025-2-2 13:02:00

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