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1EDN8511B集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

1EDN8511B
廠商型號(hào)

1EDN8511B

參數(shù)屬性

1EDN8511B 封裝/外殼為SOT-23-6;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

功能描述

EiceDRIVER?
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

絲印標(biāo)識(shí)

81

封裝外殼

PG-SOT23-6-2 / SOT-23-6

文件大小

1.16916 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

28 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 9:40:00

1EDN8511B規(guī)格書詳情

1EDN8511B屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的1EDN8511B柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    1EDN8511BXUSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 系列:

    EiceDriver?

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋,低壓側(cè)

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    8V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.2V,1.9V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4A,8A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    6.5ns,4.5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT23-6-2

  • 描述:

    IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
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