首頁 >1G*>絲印列表
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Marking：1G*；Package：SOT-23；NPN Silicon AF Transistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：1G*；Package：SOT-323；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinsmallplasticpackages. Features ■Lowcurrent ■Lowvoltage ■Threedifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
Marking：1G*；Package：SOT-23；NPN Silicon AF Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：1G*；Package：SOT-323；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
Marking：1G*；Package：SOT-323；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
Marking：1G**；Package：SOT-23；HEXFET Power MOSFET Description TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,provi | IRF International Rectifier | IRF | ||
Marking：1G**；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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DEUT |
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SMD |
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