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1N4152分立半導體產品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

1N4152
廠商型號

1N4152

參數屬性

1N4152 封裝/外殼為DO-204AH,DO-35,軸向;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的二極管-整流器-單;產品描述:DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

功能描述

ULTRA HIGH SPEED SILICON PLANAR EPITAXIAL DIODES

封裝外殼

DO-204AH,DO-35,軸向

文件大小

90.28 Kbytes

頁面數量

1

生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 17:10:00

1N4152規(guī)格書詳情

ULTRA HIGH SPEED SILICON PLANAR EPITAXIAL DIODES

? C ... 4pF @ VR = 0, f = 1.0 MHz

? trr ... 2.0 ns @ IF = 10 mA, VR = -6.0 V, RL = 100 Ω

產品屬性

  • 產品編號:

    1N4152

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管類型:

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信號 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同?Vr、F 時電容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    DO-204AH,DO-35,軸向

  • 供應商器件封裝:

    DO-35

  • 工作溫度 - 結:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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