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1N415E中文資料ASI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

1N415E
廠商型號(hào)

1N415E

功能描述

SILICON MIXER DIODE

文件大小

15.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ASI

中文名稱(chēng)

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-8 20:00:00

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1N415E規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION:

The ASI 1N415E is a Silicon Mixer Diode Designed for Applications Operating From 8.0 to 12.4 GHz.

FEATURES:

? High burnout resistance

? Low noise figure

? Hermetically sealed package

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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