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1N4760AG	文件：31.84 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES VZ:3.3to100V PD:1.0Watt FEATURES: ?Siliconplanarpowerzenerdiodes. ?Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating. ?Standardzenervoltagetoleranceis±5 ?Othertolerancesareavailableuponrequest. ?Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4760AG	文件：106.31 Kbytes Page：5 Pages	1.0W ZENER DIODE PlanarDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–100VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1N4760CG	文件：33.34 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES VZ:3.3to100VPD:1.0Watt FEATURES: ?Siliconplanarpowerzenerdiodes. ?Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating. ?Standardzenervoltagetoleranceis±2 ?Othertolerancesareavailableuponrequest. ?Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4760 G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 齊納 - 單描述：DIODE ZENER 68V 1W DO204AL	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4760A	文件：56.54 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
1N4760A	文件：50.76 Kbytes Page：5 Pages	Zeners C9V1PH==1N4739(1W9.1VZenerDiode)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
1N4760A	文件：123.47 Kbytes Page：3 Pages	1.0WZenerDiode NominalZenerVoltage:3.3to100V PowerDissipation:1.0W Features -1.0WattPowerDissipation -3.3V-100VNominalZenerVoltage -StandardVZToleranceis5	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4760A	文件：65.83 Kbytes Page：2 Pages	SILICON1WATTZENERDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4760A	文件：92.29 Kbytes Page：3 Pages	Zenerdiode Features ●SiliconPlanarZenerDiodes Highpeakreversepowerdissipation Highreliability	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
1N4760A	文件：64.51 Kbytes Page：3 Pages	SILICONSWITCHINGDIODE Features ?1.0WattPowerDissipation ?3.3V-100VNominalZenerVoltage ?StandardVZToleranceis5	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N4760A	文件：348.88 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-1.0Watt FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Glasspassivatedjunction ?Lowinductance ?TypicalIRlessthan5.0Aabove11V ?Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N4760A	文件：40.78 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPowerZ-Diodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Veryhighstability ●Lowreversecurrentlevel ●VZ–tolerance±5 Applications ???Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N4760A	文件：302.72 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERZENERDIODES foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4760A	文件：200.78 Kbytes Page：4 Pages	1WZenerDiodes Features ?1WPowerDissipation ?Built-inStrainRelief ?LowInductance ?HighStability ?ZenerVoltagefrom3.3Vto100V ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds/.037(9.5mm)leadlength, ?RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N4760A	文件：162.94 Kbytes Page：3 Pages	SILICONGLASSPASSIVATED1.0WATTZENERDIODES FEATURES TheseZenersarebestsuitedforGeneralPurposeIndustrial,Entertainment,Military&SpaceApplications.TheGlassPassivatedChipsareHermeticallySealedwithDoubleStuds,ProvidingExcellentStabilityandReliability.	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
1N4760A	文件：360.97 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
1N4760A	文件：47.44 Kbytes Page：2 Pages	Zenerdiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
1N4760A	文件：190.25 Kbytes Page：2 Pages	1WZENERDIODE	JGDJinan Gude Electronic Device 濟(jì)南固锝電子濟(jì)南固锝電子器件有限公司	JGD
1N4760A	文件：1.18579 Mbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionSiliconZenerDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
1N4760A	文件：44.01 Kbytes Page：4 Pages	1.0WZENERDIODE Features PlanarDieConstruction 1.0WattPowerDissipation 3.3–100VNomimalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance TypicalIRLessThan5.0μAAbove11V PlasticCaseMaterialHasULFlammabilityClassificationRating94V-O	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE

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更多1N4760 G供應(yīng)商更新時間2024-11-14 11:02:00

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