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1N5358	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES ?Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent ?Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals ?Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集團濟南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINANJINGHENG
1N5358A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5358A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5358A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5358A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5358B	文件：168.83 Kbytes Page：1 Pages	DIODE 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5358B	文件：59.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5358B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5358B	文件：86.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5358B	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5358B	文件：85.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
1N5358B	文件：53.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES ?Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Glasspassivatedjunction ?Lowinductance ?TypicalIDlessthan1.0μAabove13V ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5358B	文件：51.04 Kbytes Page：2 Pages	Zenersilicondiodes MaximumPower Dissipation:5W NominalZ-voltage:10to200V Features ?Max.soldertemperature:260°C ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?StandardZenervoltagetoleranceisgradedtotheinternationalE24(5)standard.OthervoltagetoleranceandhigherZenervoltageonreque	SemikronSemikron International 賽米控丹佛斯	Semikron
1N5358B	文件：382.97 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
1N5358B	文件：135.67 Kbytes Page：3 Pages	5WATTSILICONZENERDIODE FEATURES ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 ●LOWZENERIMPEDANCE ●EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5358B	文件：99.79 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5358B	文件：121.8 Kbytes Page：2 Pages	5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange5.1to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent MechanicalData ●Case:DO-15Moldedplastic ●Epoxy:UL94V-0rateflameretardant ●Lead:AxialleadsolderableperMIL-STD-202, Method208guaranteed	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1N5358B	文件：3.30836 Mbytes Page：5 Pages	POWERDISSIPATION POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhigh powerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.Add suffixBfor±5tolerance.otherzenervoltage andtolerancesareavailableuponrequest.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1N5358B	文件：135.87 Kbytes Page：7 Pages	5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
1N5358B	文件：2.31638 Mbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes ■Features ●ZenerVoltageRange3.3Vto200V ●ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyModel ●SurgeRatingofupto180W@8.3ms ●5WattSurmetic?40	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
1N5358D
制造商：
MICROSEMI
制造商全稱：
Microsemi Corporation
功能描述：
Silicon 5 Watt Zener Diodes

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5358E3/TR12	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物	詢價
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更多1N5358D供應(yīng)商更新時間2024-12-31 10:18:00

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