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1N5407G中文資料世紀(jì)微電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

1N5407G
廠商型號

1N5407G

參數(shù)屬性

1N5407G 封裝/外殼為DO-201AD,軸向;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

功能描述

GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

文件大小

84.38 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN世紀(jì)微電子

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-7 23:00:00

1N5407G規(guī)格書詳情

FEATURES

The plastic package carries underwrites laboratory

flammability classification 94V-O

High current capability

Low reverse leakage

High temperature soldering guaranteed:

350℃/10 seconds, 0.375(9.5mm) lead length, 5lbs, (2.3kg) tension

Glass passivated junction

Low forward voltage drop

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO--27,molded plastic

Terminals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.041 ounces,1.15 grams

Mounting position: Any

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    1N5407G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    25pF @ 4V,1MHz

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    DO-201AD,軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DO-201AD

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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