1N5619GP分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
1N5619GP |
| 參數(shù)屬性 | 1N5619GP 封裝/外殼為DO-201AD，軸向；包裝為帶盒（TB）；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD |
| 功能描述 | GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER |
| 封裝外殼 | DO-201AD，軸向 |
| 文件大小 |
63.87 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GE Industrial Company |
| 企業(yè)簡稱 |
GE |
| 中文名稱 | GE Industrial Company官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-3 10:21:00 |
1N5619GP規(guī)格書詳情
FEATURES
? Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
? High temperature metallurgically bonded construction
? Glass passivated cavity-free junction
? Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500
? Fast switching for high efficiency
? 1.0 Ampere operation at TA=55°C with no thermal runaway
? High temperature soldering guaranteed: 350°C/10seconds, 0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
1N5619GP-E3/73
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝：
帶盒（TB）
- 二極管類型：
標準
- 電流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同?Vr、F 時電容：
25pF @ 4V，1MHz
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
DO-201AD，軸向
- 供應商器件封裝：
DO-201AD
- 工作溫度 - 結：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
1942+ |
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