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1N5809US分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

1N5809US
廠商型號(hào)

1N5809US

參數(shù)屬性

1N5809US 封裝/外殼為SQ-MELF;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 100V 6A

功能描述

ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

封裝外殼

SQ-MELF

文件大小

100.98 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 EIC discrete Semiconductors
企業(yè)簡稱

EIC

中文名稱

EIC discrete Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-10 9:35:00

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1N5809US規(guī)格書詳情

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ultrafast recovery time

* Pb / RoHS Free

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    1N5809US

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    60pF @ 5V,1MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SQ-MELF

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 6A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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24+
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