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1N5919DG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 齊納 - 單 描述：DIODE ZENER 5.6V 1.25W DO204AL

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5919

ZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd

泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司

1N5919

ZENERDIODES

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

1N5919

ZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to240Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

1N5919

SILICON1.5WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5919

SILICON1.5WATTZENERDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

1N5919A

1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V)

Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

1N5919A

SILICONZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

1N5919A

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

1N5919A

SILICONZENERDIODES

SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N5919A

1.5W5.6VZenerdiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行

1N5919A

POWERDISSIPATION:1.5W

Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

1N5919A

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

SYNSEMI

SynSemi，Inc.

1N5919B

1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

1N5919B

ZenerDiode

■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司

1N5919B

DO-13PACKAGE-GLASSTOMETALHERMETICALLYSEALED

Axial-Leaded1.5Wattdiodes

AMMSEMI

American Microsemiconductor

1N5919B

3W5.6VZenerdiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導體股份有限公司

PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行

1N5919B

AxialLeadZenerDiodes

VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp

ANOVAAnova Technologies CO., LTD.

林朋科技林朋科技股份有限公司

1N5919B

Axial-Leaded1.5Wattdiodes

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

1N5919B

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    1N5919DG

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 容差：

    ±1%

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 175°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    DO-204AL，DO-41，軸向

  • 供應商器件封裝：

    DO-204AL（DO-41）

  • 描述：

    DIODE ZENER 5.6V 1.25W DO204AL

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多1N5919DG供應商 更新時間2025-1-13 10:19:00

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