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1N5932AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 齊納 - 單描述：DIODE ZENER 20V 1.25W DO204AL	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5932B	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3WDO??1SurmeticTM30ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon?oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial?lead, transfer?moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
1N5932B	文件：226.8 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5932B	文件：227.56 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5932B	文件：53.8 Kbytes Page：1 Pages	ZENERDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
1N5932B	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5932B	文件：124.07 Kbytes Page：4 Pages	1.5WattZenerDiode11to200Volts Features ?GlassPassivatedJunction ?LowProfilePackage ?LowInductance ?Built-inStrainRelief	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
1N5932B	文件：204.72 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5932B	文件：81.95 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11TO200VoltsPower-1.5Watts) VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5932B	文件：422.798 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5932B	文件：738.238 Kbytes Page：4 Pages	3W20VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5932B	文件：157.75 Kbytes Page：2 Pages	1.5WSILICONZENERDIODE VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES Zenervoltage3.3Vto200V Withstandslargesurgestresses	JGDJinan Gude Electronic Device 濟南固锝電子濟南固锝電子器件有限公司	JGD
1N5932B	文件：56.43 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5932B	文件：105.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5932B	文件：347.3 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODE1.5WATT,3.3THRU200VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5913BseriessiliconZenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforuseinautomotive,industrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
1N5932B	文件：225.1 Kbytes Page：3 Pages	3WSILICONZENERDIODES 3WSILICONZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5932B	文件：171.88 Kbytes Page：4 Pages	1.5WZenerDiodes Features ?LowProfilePackage ?1.5WPowerDissipation ?Built-inStrainRelief ?LowInductance ?HighStability ?ZenerVoltagefrom3.3Vto56V ?RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N5932B	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
1N5932B	文件：49.4 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5932B	文件：457.81 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
1N5932AG
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±10%
工作溫度：
-65°C ~ 175°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
DO-204AL，DO-41，軸向
供應商器件封裝：
DO-204AL（DO-41）
描述：
DIODE ZENER 20V 1.25W DO204AL

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5932AG	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	1N5932AP/TR12	MICROSEMI	1809+	DO-204	1675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	1N5932AP/TR12	Microchip	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
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更多1N5932AG供應商更新時間2024-12-27 10:18:00

產(chǎn)品屬性

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