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1N5939	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5939	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
1N5939	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5939	文件：648.8 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to240Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
1N5939	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5939A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1N5939A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W39VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5939A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5939A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5939A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
1N5939A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5939A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5939B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5939B	文件：56.43 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5939B	文件：105.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5939B	文件：124.07 Kbytes Page：4 Pages	1.5WattZenerDiode11to200Volts Features ?GlassPassivatedJunction ?LowProfilePackage ?LowInductance ?Built-inStrainRelief	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
1N5939B	文件：171.88 Kbytes Page：4 Pages	1.5WZenerDiodes Features ?LowProfilePackage ?1.5WPowerDissipation ?Built-inStrainRelief ?LowInductance ?HighStability ?ZenerVoltagefrom3.3Vto56V ?RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N5939B	文件：225.1 Kbytes Page：3 Pages	3WSILICONZENERDIODES 3WSILICONZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5939B	文件：49.4 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
1N5939B	文件：457.81 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT

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詳細參數(shù)

型號：
1N5939C G
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
ZENER SGL 39V 2% 1.25W 2PIN DO-41 - Bulk
功能描述：
DIODE ZENER 39V 1.25W DO-41

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多1N5939C G供應商更新時間2024-12-28 10:18:00

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