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1N5955	文件：648.8 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to240Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
1N5955	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5955	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
1N5955	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5955	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5955A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1N5955A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5955A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
1N5955A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5955A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5955A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W180VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5955A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5955A	文件：93.62 Kbytes Page：1 Pages	1.5WATTSZENERDIODES 1.5WATTSZENERDIODES 3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5955B	文件：107 Kbytes Page：5 Pages	1.5WZENERDIODE GlassPassivatedDieConstruction 1.5WPowerDissipation 3.3V–200VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0 MechanicalData	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1N5955B	文件：808.8 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes1N59Series FEATURES ●Ptot1.5W ●Vz3.3V-240V	RFERFE international RFE國(guó)際公司RFE國(guó)際股份有限公司	RFE
1N5955B	文件：149.42 Kbytes Page：8 Pages	DesignConsiderationsforClampingNetworksforVeryHighVoltageMonolithicOff-linePWMControllers	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
1N5955B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5955B	文件：451.06 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODEVOLTAGE-11TO200Volts FEATURES ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Glasspassivatedjunction ●Lowinductance ●TypicalIRlessthan1￡gAabove11V ●Hightemperaturesoldering:260℃/10secondsatterminals ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassificati	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明輝電子山東星合明輝電子有限公司	GXELECTRONICS
1N5955B	文件：346.85 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1N5955B	文件：530.27 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode ■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
1N5955B G
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
ZENER SGL 180V 5% 1.25W 2PIN DO-41 - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科雨電子有限公司	1N5955BBK	CENTRAL	1809+	DO-41	6675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5955BE3/TR13	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
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更多1N5955B G供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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