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1N6815中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

1N6815
廠商型號

1N6815

功能描述

LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

文件大小

76.45 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-14 16:27:00

1N6815規(guī)格書詳情

Features

? Tungsten/Platinum schottky barrier for very low VF

? Oxide passivated structure for very low leakage currents

? Guard ring protection for increased reverse energy capability

? Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

? Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

? Low package inductance

? Very low thermal resistance

? Available as standard polarity (strap is anode: 1N6815) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6815R)

? TXV-level (MSASC25H45KV) or S-level (MSASC25H45KS) screening

i.a.w. Microsemi Internal Procedure PS11.50 available

產品屬性

  • 型號:

    1N6815

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

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