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1SS184	文件：93.81 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE DualDiodeCommonCathode FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1SS184	文件：242.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features ?Smallpackage ?Lowforwardvoltage ?Fastreverserecoverytime ?Smalltotalcapacitance	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
1SS184	文件：461.95 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHINGDIODESULTRAHIGHSPEEDSWITCHING	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
1SS184	文件：1.13359 Mbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS184	文件：269.45 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDIODES FEATURES ?Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ?Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
1SS184	文件：201.87 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
1SS184	文件：149.44 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitching Featrues ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.) ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●RoHSproductforpackingcodesuffixG Halogenfreeproduct	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
1SS184	文件：2.9353 Mbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SS184	文件：1.43062 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
1SS184	文件：70.22 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE Features Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25°C) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
1SS184	文件：2.36273 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime Applications ●Extremefastswitches	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司	HDSEMI
1SS184	文件：238.56 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS184	文件：246.6 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS184	文件：68.61 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明陽國(guó)際貿(mào)易廣州市明陽國(guó)際貿(mào)易有限公司	KISEMICONDUCTOR
1SS184	文件：138.25 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS184	文件：63.62 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES ?Smallpackage ?Lowforwardvoltage ?Smalltotalcapacitance ?Fastreverserecoverytime	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
1SS184	文件：2.05321 Mbytes Page：2 Pages	100mASurfaceMountSwitchingDiode Features ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1SS184	文件：104.04 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
1SS184	文件：180.89 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS184	文件：463.3 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiode Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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