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1SS187	文件：93.74 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE HighConductance FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1SS187	文件：1.14189 Mbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS187	文件：295.05 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDIODES FEATURES ?Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(typ.) ?Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
1SS187	文件：2.37892 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime Applications ●Extremefastswitches	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司	HDSEMI
1SS187	文件：418.92 Kbytes Page：3 Pages	150mWHighSpeedSwitchingDiodes80Volt Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LowForwardVoltage ?FastReverseRecoveryTime ?SurfaceMountSOT-23Package ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Marking:D3?	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
1SS187	文件：210.04 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
1SS187	文件：2.27768 Mbytes Page：2 Pages	100mASurfaceMountSwitchingDiode Features Lowforwardvoltage VF(3)=0.92V(typ). Fastswitching. Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) MechanicalData Case:SOT-23	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1SS187	文件：88.61 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE Features ●Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25°C) ●ForwardCurrent IF:100mA ●ReverseVoltage VR:80V ●Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
1SS187	文件：1.36961 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime MARKING:D3·	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
1SS187	文件：104.55 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS187	文件：245.18 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.92V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS187	文件：179.84 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS187	文件：181.62 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=2.2pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
1SS187	文件：185.62 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode ■Features ●VR80V ●IO100mA ■Applications ●Highspeedswitchingapplication ●Lowforwardvoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
1SS187	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSwitchingDiode ■Features ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Diodecapacitance:Cd=2.2pF(typ.)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
1SS187	文件：828.62 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode FEATURES ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SS187	文件：246.85 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS187	文件：69.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明陽(yáng)國(guó)際貿(mào)易廣州市明陽(yáng)國(guó)際貿(mào)易有限公司	KISEMICONDUCTOR
1SS187	文件：136.19 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS187	文件：34.9 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features SmallPackage Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(Typ.) FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) SmallTotalCapacitance:CT=2.2pF(Typ.)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	1SS187(T5LPPE)	TOSHIBA	11+		3000	原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
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更多1SS187(T5LPPE)供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 14:30:00

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