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1SS306

SiliconEpitaxialPlanarType

SiliconEpitaxialPlanarType Features Lowforwardvoltage:VF(2)=0.9V(Typ) Fastreverserecoverytime:trr=30ns(Typ) Smalltotalcapacitance:CT=1.5pF(Typ)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

1SS306

HighVoltage,HighSpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1SS306

DIODE(HIGHVOLTAGE,HIGHSPEEDSWITCHINGAPLICATIONS)

HighVoltage,HighSpeedSwitchingApplications ●Smallpackage:SC-61 ●Lowforwardvoltage:VF(2)=0.90V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=30ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=1.5pF(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多1SS306(DWC010-TEF供應商 更新時間2025-2-1 14:30:00